Samsung ultra hızlı mobil hafıza teknolojisi ile 8 kat yüksek performans vaat ediyor. 50nm-class teknolojisi ile Samsung, I/O 1Gb (128MB) DRAM çipleri ile 12.8 GB/s bant genişliğine ulaşıyor. Bu inanılmaz hız, standart mobil DRAM'lere oranla sekiz, LPDDR2 DRAM'lere göre ise dört kat daha hızlı. Samsung'un kullandığı eski sistemde DRAM'ler 32 pin kullanırken şimdiki teknoloji ile 512 pin kullanabilecek. Ayrıca bu yeni teknoloji eski DRAM'lerden %87 daha düşük enerjiyle çalışıyor. Samsung, yeni hafıza birimlerinin tabletler ve akıllı telefonlara muhteşem bir performans katkısı sağlayacağını belirtiyor. Güney Koreli teknoloji devi, 4Gb 20nm I/O DRAM'lerini 2013'te piyasaya sunacak.
